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ST推出内置DRAM存储器的微控制器

发布时间:2020-07-21 19:02:18 阅读: 来源:太阳能路灯厂家

意法半导体(ST)日前公布了一款针对无线基础设施设备开发的多用途微控制器的细节。这个代号为"GreenFIELD"、产品编号为STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S330MIPSRISC处理器核心、16Mbit片上eDRAM内存、eFPGA(嵌入式现场可编程逻辑门阵列)模块以及各种模拟和数字外设。GreenFIELD-STW21000是ST无线基础设施产品部发布的第二款先进的系统芯片产品。 GreenFIELDSTW21000以及最近推出的GreenSIDE’(STW51000)多标准WCDMA/CDMA2000/TD-SCDMA/EDGE基带解决方案,是ST与数家领先的无线基础设备制造商共同定义的,它代表了ST为降低无线基础设施的成本和提高产品性能所采取的一个重要行动。 该产品透过内置的可编程ARM核心提供了极高的灵活性。此外,专用的eFPGA能够在芯片上对各种接口进行再编程,因此能够保障客户在GreenFIELD平台上的投资,并最大限度提高平台在多种应用中的再利用性 。它适用于不同的基站功能,例如:预失真、电动天线遥控和无线网络控制器,从而简化了系统设计并降低了整体成本与功耗。GreenFIELD集成了存储器、上电复位、电压参考电路和模数转换器,从而简化了设计,降低了总功耗和总成本。 "我们为用户带来了降低成本的绝好机会,因为GreenFIELD-STW21000允许用户在各种不同的插槽内使用同一芯片,同时还能利用可编程核心、外设与和可重复配置接口的多功能组合适应变化中的标准,"ST无线基础设施部门副总裁兼总经理DanielAbecassis表示,"通过整合ARM核心、境内外入式DRAM和嵌入式FPGA,ST为用户提供了一个适合各种关键性需求的经过客户验证的可编程系统级芯片。" GreenFIELD采用ST的130纳米高性能CMOS制造技术,STW21000单片整合了大量不同类的技术,包括高性能数字逻辑、处理器核心、高密度DRAM、可重复配置接口与模拟外设(如模数转换器与数模转换器)。由于ST拥有成熟的嵌入式DRAM技术,因此GreenFIELD-STW21000提供了存储容量高达16Mbit的片上内存。 在功能本来已经很丰富的基础之上,ST又为新器件增加了多种功能: -片上多重HDLC控制器 -10/100以太网络媒体访问控制器、通用输入输出 -片上内存控制器(支持外部DDRSDRAM接口与静态组件接口) -多通道串口 -UART及I2C接口 -ST独有的上电复位功能。 可编程逻辑的软件开发支持工具包括一套先进的集成的软件工具(包括传统的知名的PFGA工具提供商如Synopsys,Synplicity和MentorGraphics提供的工具),这套软件可以在一个独特的设计环境内实现对可重配置接口的编程、调试和验证操作。ARMRealViewTM或任何独立第三方套装软件工具都能用于CPU核心的软件开发。

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